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研究用総合機器

特徴

  • NチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor

仕様

  • 入数:1リール(3000個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:4 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:130 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:1.3V
  • 最低ゲートしきい値電圧:0.4V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V
  • パッケージタイプ:MCPH3
  • 実装タイプ:表面実装
  • ピン数:3
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:1 W
  • 標準ターンオフ遅延時間:36 ns
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:163-0026
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